江波龙FORESEE P709固态硬盘评测
FORESEE是江波龙旗下的存储品牌，相比消费级市场的Lexar雷克沙，FORESEE主要面向行业用户。FORESEE P709的主要特点是分别支持TCG-OPAL 2.0与Pyrite 2.0两种加密功能，可满足用户对数据安全的需求。
P709提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项，采用DRAM-Less无外置缓存设计、3D TLC闪存，最高顺序读写速度2500/2000 MB/s，最高随机读写速度130K/170K IOPS，保修3年。本次评测是顶配1TB型号。撕开产品标签可以看到P709使用了慧荣SM2263XT主控。
SM2263XT是最常见的NVMe主控方案之一，采用PCIe 3.0 x4接口、四通道设计，最高支持800MT/s闪存接口，无外置DRAM缓存，在Windows系统下可共享最多64MB系统内存用于FTL存储，从而提升性能表现。通过smi flash id工具可以了解到这块P709搭载三星第六代VNAND闪存（3D TLC类型），并启用了64MB HMB缓存。
SM2263XT主控可以支持TCG Opal自加密功能，不过市面上多数采用该主控的消费级SSD并没有启用这一功能。P709作为商用产品，则能够分别支持TCG Opal 2.0和Pyrite 2.0两种加密功能。
首先是硬盘加密的类型，可以分为软件全盘加密FDE和硬件自加密SED两类。
软件加密工具除了Windows自带的Bitlocker之外，还有Winmagic SecureDoc、WAVE Embassy、McAfee SafeBoot等等。软件全盘加密的工作原理是通过Pre-boot软件，在开机时首先引导，并在通过认证后负责解密盘上加密区域的数据。这种方式的缺点很明显：由于加密和解密运算需要通过CPU进行，性能会受到一定影响。
硬件自加密则是在硬盘内完成数据的加密和解密工作，开启加密后对性能的影响较小，甚至完全没有影响。
SED自加密又可分为两类：一类是微软的eDrive标准，需要SSD同时支持Opal和IEEE1667才能开启（基于SSD硬件加密的BitLocker）；另一类是TCG/SWG推出的Opal标准。江波龙FORESEE P709属于第二类。
在Opal之下其实还有很多细分标准，比如Opalite、Pyrite等。下图展示了TCG Opal、Opalite以及Pyrite的关系，Opalite是Opal的一个子集，而Pyrite又是Opalite的一个子集。
Pyrite其实并不是真正的加密，从它的名字就可以知道：Pyrite即黄铁矿，因外观和黄金非常相似，故又有“愚人金”之称。Pyrite提供了逻辑上对数据访问进行阻止或授权的能力，可以作为ATA硬盘密码锁的替代品。下图是Opal、Opalite和Pyrite的功能对比：
除了借助一些收费软件之外，我们也可以通过开源的sedutil来使用FORESEE P709的加密功能。具体方法可以参考之前文章中的介绍：http://www.pceva.com.cn/article/4223-1.html
测试平台：
CPU：Intel Core i9-9900K
主板：Z390
内存：DDR4-3200 8GBx2
硬盘：浦科特M6PRO 128GB（系统盘）
江波龙FORESEE P709 1TB（FW：U0506B0P）
系统：Windows 10 LTSC
驱动：微软默认stornvme
设置：除特别说明以外，关闭ASPM及APST节能
CrystalDiskInfo信息识别：
CrystalDiskInfo已经可以满足我们对NVMe SSD健康信息的全面识别需求。
Smartmontools信息识别：
Smartmontools是一个开源工具软件，可以识别NVMe固态硬盘的温度限制信息以及APST预设，这些信息同NVMe固态硬盘的节能及热管理策略有关。
SM2263XT是一款节能型主控，P709的最高活动状态功耗也仅有6瓦，PS4电源状态的功耗更是低至0.004瓦。P709还能够支持ASPM节能，并通过了Intel Modern standby和UNH-IOL认证，满足了低功耗和快速唤醒需求。
基准测试
基准测试1：理论带宽测试
这个测试是为了验证SSD能否达到其标称的性能指标。实际测得顺序读取2555.6MB/s，超过标称值2500MB/s，顺序写入1892.7MB/s，略低于标称值2000MB/s。4K随机读写速度需要进行一下转换，随机读取1010.0MB/s相当于252500 IOPS，随机写入1212.4MB/s相当于303100 IOPS，远超过标称值的顺序读130000 IOPS、顺序写入170000 IOPS。
如果改用IOMeter对无文件系统状态下的P709进行128KB QD32顺序写入测试，则能够实现超过标称值的顺序写入速度。
基准测试2：PCMark 8测试
FORESEE P709 1TB在PCMark 8存储测试中获得5070分。属于SM2263XT主控方案的正常表现。
基准测试3：SLC缓存及过半盘使用性能
FORESEE P709 1TB在空盘状态下的SLC缓存容量约为260GB。
在利用IOMeter填充50%全盘容量之后，P709依然能够提供190GB的写入缓存空间，属于动态SLC缓存策略。
半盘状态下CrystalDiskMark测速成绩和空盘时基本一致：
PCMark 10完整系统盘基准测试成绩显示，半盘状态下P709 1TB的实用性能仅有轻微下滑。
进阶测试
进阶测试1：温度压力测试
在29度室温、被动散热、关闭全部节能特性的条件下，FORESEE P709 1TB报告的待机温度为35度。
通过IOMeter执行16GB LBA范围内的128KB QD32顺序读取测试，以便让SSD始终保持稳定的满负荷工作状态。通过HWiNFO64同步记录传输速度（橙色）和温度读数（蓝色）。
满载测试开始75秒后P709进入过热限速状态，此时SMART信息中温度数据是47度。也就是说，不能根据SMART中报告的综合温度数据来判断P709是否进入过热状态。
进阶测试2：节能测试
在上一个测试项目中，为了衡量恶劣条件下的SSD温度/性能表现，采用了关闭所有节能特性的方式。而在实际使用中，尤其是安装在笔记本当中时，开启NVMe SSD的节能特性可以有效降低中轻度负载下SSD的温度，从而为突发读写提供更高的温度上升空间，减少过热限速带来的性能损失。
FORESEE P709支持ASPM和APST两套节能机制。ASPM在笔记本平台上默认处于开启状态，可以通过HWiNFO64中Active State Power Management Status：L1 Entry进行确认。
APST自动电源状态转换则由NVMe SSD固件预设以及Windows电源计划共同控制。进入延迟和退出延迟二者相加后需小于等于Windows指定范围方能进入该电源状态。
以下测试中选取了ASPM开启、空闲超时200毫秒、延迟约束限制15毫秒。在此设定下，FORESEE P709可于空闲时进入到PS3电源状态。开启节能后，无散热片状态下P709待机温度显示33度。
通过CrystalDiskMark和PCMark 10完整系统盘基准测试成绩来看，节能设定对FORESEE P709对使用性能有小幅度影响。
在笔记本电脑中，ASPM和APST都是默认就会启用的，只要用户不主动选择高性能或者修改Windows隐藏的电源计划选项，都将自动在享受待机温度红利的同时保有近乎完整的使用性能。
进阶测试项目3：4KB QD32 随机写入离散度测试
无文件系统下使用IOMeter进行128K QD32持续写入60分钟，缓存外平均写入速度大约290MB/s。慧荣SM2263XT主控的特点决定了它的SLC缓存容量较大，但缓存外的写入速度波动也较大。好在家用情况下很难将其大容量SLC缓存用完，所以写入速度大幅波动的现象在实用环境下并不是很常见到。
空闲15分钟后改用4K QD32随机写入5000秒并每秒记录：
最后500秒平均写入IOPS：2886。
进阶测试项目4：PCMARK 10盘性能一致性测试（稳定态家用环境性能）
盘性能一致性测试是PCMark 10中一个仅针对专业用户的极苛刻测试，相当于PCMark 8中的扩展存储测试，只是不需要删除分区进行。该测试会对SSD产生大量写入，对于P709这个定位的固态硬盘而言，更多是考察极端压力下的稳定性。
性能恢复方面，由于P709的SLC缓存容量很大，该测试给每个恢复阶段留出的空闲时间有些不足，所以恢复阶段的性能成绩不是特别明显，对于这个测试结果应该是正常的。日常使用的话通常不会有盘性能一致性测试中这样大的写入压力，所以性能数据上无需担忧。
总结：
FORESEE P709固态硬盘支持TCG-OPAL 2.0和Pyrite 2.0两种安全功能，可以满足个人和企业关键数据的安全保护需求。P709在提供主流NVMe固态硬盘存取性能的同时，还具备优秀的低功耗表现，并通过了Intel Modern standby和UNH-IOL认证，为兼容性和稳定性提供了坚实的保障。
FORESEE 今年陆续推出了好几款固态硬盘，为PC OEM领域带了很多新选择，大家在拿到笔记本时也不妨拆开看一看，说不定用到的就是FORESEE固态硬盘。
采用氮化镓黑科技性能倒退？一文看懂三星新旧原装45W快充区别
前言
三星此前为旗下的手机推出了45W PD快充充电器EP-TA845，支持20V2.25A 45W输出和3.3-11V 5A PPS输出，对电脑和手机快充都具有很好的兼容性。作为全球手机巨头，三星的充电器有很高的知名度，在爱好者中也有不错的声誉，购买三星充电器日常使用的人不在少数。
前不久三星推出了一款内置氮化镓功率器件的PD快充EP-T4510，同样支持45W输出，但体积相比传统的45W充电器明显缩小，更加便携的同时，也将传统充电器霸占插座的问题解决，解决多个充电器不能同时使用的痛点，使用更加友好。
充电头网对三星新款氮化镓充电器和传统充电器（注：以下简称三星EP-T4510和三星EP-TA845，方便区别）都已经分别进行了拆解，下面通过一篇对比文章来对比两款充电器的不同，通过详细拆解及测试，为大家带来直观明确的对比。相信读完这篇文章，能对两款充电器的相同和不同有一个充分的了解。
产品外观
包装
两款充电器包装盒设计风格相同，正面均印有SAMSUNG品牌、充电器名称、套装外观以及卖点信息等，不过三星EP-T4510的包装标注信息更详细，包括采用USB-C接口、线长（1.8米）等。
尺寸/功率密度
实测三星EP-T4510快充三维为47.69*43.63*28.03mm，进而算得其功率密度约为0.77W/cm³；测得三星EP-TA845快充三维为52.06*52.97*29.46mm，功率密度约为0.55W/cm³。
得益于纳微氮化镓功率器件的使用，三星EP-T4510快充的体积明显缩小了，仅为旧款的72%，提升了整体便携性。
接口
三星EP-T4510和三星EP-TA845两款充电器均配备单USB-C接口，居中设计，黑色胶芯不露铜。
铭牌
两款充电器的铭牌除型号外基本一样，新款45W氮化镓快充型号为EP-T4510，旧款的型号为EP-TA845，均为越南制造，通过了CCC认证。
重量
三星EP-T4510充电器净重约为99g，三星EP-TA845充电器的净重约为91g。新款充电器整体尺寸虽缩小了，但内部做了部分灌胶，因此反倒更重一点。
内部结构
正面布局
三星EP-T4510充电器在充电器PCB模块外包裹铜箔，并且使用硅胶灌封，所以重量反而比旧款的EP-TA845要重7g。通过两款充电器PCB的正面对比，可以看到EP-T4510相比EP-TA845元件排列更为密集。
背面布局
三星EP-T4510将控制器和氮化镓开关管以及整流管布置在平面变压器下面，充分利用空间，所以看起来背面相比EP-TA845来的精简。三星EP-TA845则将电源芯片放置在电路板背面，两款充电器设计紧凑，空间利用率都非常高。
做工用料
初级控制器
三星EP-T4510充电器采用Dialog iW9801ZVS反激控制器，增加一个辅助开关管实现主开关管的零电压开关，降低开关损耗，提高转换效率。三星EP-TA845则使用PI的SC1920C反激准谐振电源芯片，将同步整流，反馈电路，初级开关管和控制电路集成在一个芯片内部。
同步整流控制器
两款充电器均采用同步整流，以提高效率，缩小体积。三星EP-T4510的同步整流控制功能由iW709协议芯片集成，三星EP-TA845的同步整流功能由PI的SC1920C电源芯片集成。
协议芯片
三星EP-T4510充电器采用Dialog iW709协议芯片，该芯片内部集成协议功能、VBUS开关管驱动、同步整流控制器和电压反馈控制，与初级芯片配合实现精密的电压调节。三星EP-TA845采用三星自家协议芯片S2MM101X协议芯片，支持PPS和PD快充协议。
初级开关管
三星EP-T4510内置纳微NV6014氮化镓功率芯片作为初级开关管，三星EP-TA845的初级开关管集成在PI SC1920C芯片中。
同步整流管
三星EP-T4510的同步整流管来自博盛，型号PDC85N11X-5，NMOS，耐压115V，导阻7.6mΩ，采用PPAK5*6封装。三星EP-TA845的同步整流管来自MagnaChip美格纳，MDU10N070RH，耐压100V，导阻7.4mΩ，采用PDFN56封装。
电容
三星EP-T4510采用两颗15μF和一颗22μF丰宾电容滤波，耐压均为400V，总容量为52μF。三星EP-TA845内置两颗22μF和一颗15μF丰宾电容滤波，耐压400V，总容量为59μF。
两款充电器均采用300μF 30V固态电容滤波，使用两颗并联。其中EP-T4510电容品牌来自丰宾，三星EP-TA845滤波电容品牌不详。
连接器
两款充电器的USB-C母座均采用塑料外壳，其中三星EP-T4510的USB母座垂直电路板焊接，三星EP-TA845的USB母座水平与电路板焊接。
产品性能
协议
使用ChargerLAB POWER-Z KM002C测得三星EP-T4510支持PD3.0、PPS快充协议；使用KT002测得三星EP-TA845同样支持PD3.0、PPS快充协议。
PDO
三星EP-T4510和三星EP-TA845的PDO报文也完全相同，具备5V3A、9V3A、15V3A、20V2.25A四组固定电压档位，以及3.3-11V5A、3.3-16V3A、3.3-21V2.25A三组PPS电压档位。
待机功耗
经过功率计测试，三星EP-T4510在220V 50Hz的空载功耗为0.051W，在110V 60Hz时的空载功耗为0.027W。
测得三星EP-TA845在220V 50Hz的空载功耗为0.022W，在110V 60Hz时的空载功耗为0.016W。
转换效率
220V 50Hz下，将三星EP-T4510在各个电压档位的输出功率拉满进行测试：四个档位测得插线板AC端输入功率和USB端输出功率，通过计算，可得充电器的转换效率从87.42%到89.97%不等。
110V 50Hz输入环境下，三星EP-T4510的转换效率从87.06%到90.8%不等。
另外测得三星EP-TA845在220V 50Hz输入环境下，转换效率从89.93%到92.21%不等。
110V 60Hz输入环境下，三星EP-TA845的转换效率从89.9%到91.17%不等。
温度
220V50Hz 的市电环境下，满载1小时后使用热成像仪拍摄三星EP-T4510两个侧面表面的最高温度为61.1℃。
另外两侧的最高温度为59.8℃。
再看看 110V 60Hz 的市电环境下，1小时后使用热成像仪拍摄三星EP-T4510两侧表面的最高温度为62.8℃。
另外两侧的最高温度为66.7℃。
220V50Hz 的市电环境下，满载1小时后使用热成像仪拍摄三星EP-TA845两个侧面表面的最高温度为56.5℃。
另外两侧的最高温度为54.3℃。
再看看 110V 60Hz 的市电环境下，1小时后使用热成像仪拍摄三星EP-TA845两侧表面的最高温度为61.5℃。
另外两侧的最高温度为62.2℃。
纹波
纹波测试分为空载（柱状图中Y轴电流为0A）和重载（柱状图中Y轴电流为非0A）两种，对三星EP-T4510在220V 50Hz交流输入下的纹波进行测试，充电器处于5V3A输出状态时纹波最高，为222mVp-p；充电器处于15V0A空载状态时纹波最低，为76mVp-p。
在110V 60Hz交流输入下测试纹波，三星EP-T4510处于5V2A输出状态时纹波最高，为146mVp-p；充电器处于15V0A空载状态时纹波最低，为66mVp-p。
对三星EP-TA845在220V 50Hz交流输入下的纹波进行测试，充电器处于5V3A输出状态时纹波最高，为134mVp-p；充电器处于20V0A空载状态时纹波最低，为22mVp-p。
测试在110V 60Hz交流输入下的纹波，三星EP-TA845处于9V3A输出状态时纹波最高，为136mVp-p；充电器处于15V0A空载状态时纹波最低，为20mVp-p。
全程充电测试
使用三星EP-T4510充三星S22+全程的数据变化，在3分48秒前输入功率在37W左右，随后功率和电流开始在8W-37W之间波动，47分时功率和电流逐渐下降直至充电结束，全程耗时约1小时27分，最高功率为9.25V 4.22A 39.05W。
使用三星EP-TA845为三星S22+充电的全程数据变化，13分前功率在9.5W与36W之间波动，整个过程大致分为4个阶段，于1小时18分充电结束。
充电头网总结
最后附上三星这两款充电器表格，方便大家对比各款产品之间的区别。
通过对比首先可以看出，使用了氮化镓的EP-T4510充电器的体积有了显著的缩小，这不仅仅是氮化镓的功劳。EP-T4510在充电器内部使用了平面变压器以及ZVS零电压拓扑，将开关频率提高，充分发挥氮化镓性能优势，提高充电器的功率密度。
三星EP-TA845则采用老牌大厂PI的电源芯片SC1920C，这颗电源芯片内置初级开关管，初级控制器，同步整流控制器以及反馈，将多颗芯片的功能集成到一颗芯片内部，大幅简化充电器的设计，使电路更加精简。两款充电器的用料做工都是相当不错的。
另外两款充电器的性能是一样的，只是新款氮化镓充电器体积更小一些，相对来说更加便携点。而从实际测试数据可以看出新充电器在待机功耗、效率、温升等方面的表现反倒略差一点，虽说可以忽略不计。因此新款氮化镓快充虽好，但旧款的也不赖，如需入手可根据自身实际情况考虑。
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