一分钟了解三星GALAXY S系列
三星Galaxy系列智能手机，整体定位于中高端市场，是三星手机系列中的精品。在2010年三星的Galaxy（银河）系列发布了一款旗舰手机—Galaxy S，型号也就是i9000，之前具有类似命名的手机三星i8000是旗下WM系统的旗舰机型，而i9000采用的却是Android系统。
三星 Galaxy S
三星I9000 Galaxy S ▲上市时间：2010年06月（8G/16G/粉色）当然还有电信版I959
屏幕尺寸：4.0英寸屏幕分辨率：480×800(WVGA)像素拍照信息后置相机：500万像素前置相机：30万像素硬件信息操作系统：Android 2.2；运行内存：512MB RAMCPU型号：ARM Cortex A8 ；核心数：三星I9003上市时间：2011年01月运行内存：2GB ROM+512 RAM
三星阿玛尼Galaxy S▲见过这个一定要下方评论啊
三星I9001(Galaxy S Plus)上市时间：2011年04月CPU型号：高通 MSM8255。三星在11年的时候就用到了plus，明显当时的plus没有现在这么强大。
三星I927(Galaxy S Glide)上市时间：2011年10月屏幕尺寸：4.0英寸运行内存：1GB ROM+1GB RAMCPU型号：Exynos4210(双核)
三星I9070(Galaxy S Advanced)上市时间：2012年01月运行内存：768MB RAMCPU型号：ST-Ericsson DB8500(双核)
差点吐血，这一期的Galaxy S系列就说到这里了，下一期Galaxy SⅡ大家敬请期待，记得点关注和下方评论一起聊哦
中国存储芯片，成功反超美韩，但一项关键设备，还掌握在西方手中
众所周知，美国发动的对华“科技战”，特别是在半导体领域对中国一些企业实行的技术禁运，确实对中国的许多半导体企业，以及相应的下游电子设备制造企业造成了一定困难。但是这些困难并没有让中国企业低头，而是激发了中国企业的奋发图强，从数年前就开始了产业链自主化的长征，并且已经取得了一些成绩。
最近，加拿大半导体和微电子行业分析机构TechInsights，就又发现了一个中国企业的巨大成就：中国长江存储在市场上率先推出了首款200层以上的3D NAND闪存芯片，成功反超韩国三星电子、SK海力士以及美国镁光等主要竞争对手，在技术上成为这个半导体细分领域的全球领导者。
（长江存储已经在业界率先量产超过300层的3D NAND闪存芯片X3-9070）
根据TechInsights最新发布的《颠覆性事件》报告，该机构在今年11月对中国监控设备制造商杭州海康威视数字技术有限公司的2 TB SSD固态硬盘进行了逆向工程分析，发现了长江存储最新NAND闪存芯片的证据，在报告中称其为Xtacking 3.0技术，估计堆叠层数为232层。实际上长江存储在2022年的闪存峰会（FMS）上就正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，型号为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度和更快的I/O速度。
但是按照半导体行业的一般规律，通常来说从技术发布到产品上市还需要一段时间，此前业内猜测长江存储的X3-9070闪存芯片要到2023年才会上市，但是没想到这么快就已经在市场上见到了。根据国内媒体报道，除了海康威视的SSD产品以外，我们国产的致态TiPlus7100系列SSD也使用了X3-9070芯片。
（2022年第二季度全球NAND闪存芯片市场领先企业的利润和市场占有率）
根据行业媒体的统计，2022年第二季度全球NAND闪存芯片市场领先企业分别是韩国三星（市场占有率33%），韩国SK集团（市场占有率19.9），日本铠侠（市场占有率为15.6%），西数（市场占有率13.2%）和美国镁光（市场占有率12.6%）。韩国企业在NAND闪存芯片领率已经占据了全球一半左右的市场。长江存储目前还属于新人，市场占有率不高。
作为行业领先企业，今年镁光、SK海力士和三星电子先后推出了200层以上的3D NAND闪存解决方案。其中最早发布技术的是镁光，在今年5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，并且声称准备在2022年末开始生产，初始容量为1Tb（128GB）；到了今年8月份，SK海力士宣布已研发成功全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND芯片的样品；三星半导体在11月宣布已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。
（业内预测的闪存堆叠技术的发展时间表，长江存储成为一匹黑马）
但是这些企业的产品都还没有在零售市场露面，没想到让长江存储领先上市。TechInsights评论称，这种先进的技术使这家中国公司成为了一个“严肃的竞争者”，它正在“逼近全球存储巨头，”并且预计长江存储将在2030年前成为闪存芯片市场的全球领导者。长江存储的优势包括通过Xtacking技术实现更大的存储空间和更短的开发时间。报告称：“在长江存储的Xtacking技术中，存储器阵列被翻转并结合到CMOS（互补金属氧化物半导体晶体管）上。”“长江存储声称，这种方法将产品开发时间至少缩短了三个月，并将生产周期缩短了20%。”
（NAND闪存和DRAM内存芯片的半导体制程工艺发展路径）
但是TechInsights的报告也警告称，尽管取得了成就，但“长江存储仍然面临着一场艰难的战斗”，因为美国政府最近的行动可能会严重影响该公司的“大规模生产，并迅速发展下一代技术”的能力。10月，美国商务部下属机构工业和安全局（BIS）更新了与“未经核实名单”和美国出口黑名单（官方称为实体名单）相关的政策。长江存储和其他30家中国半导体企业被列入“未经核实名单”，这些企业可能会在采购半导体制造设备时被美国政府卡脖子。产业分析机构Omdia认为，如果美国政府继续加强对长江存储的审查，就有可能“将长江存储的技术冻结在当前水平”。
不过，NAND闪存芯片并不像CPU那样的逻辑芯片一样追求缩小半导体工艺线宽，在可见的未来都会停留在10纳米以上，这样的半导体工艺使用浸没式DUV光刻机就可以完成。而荷兰ASML已经拒绝了美国政府的禁运要求，继续向中国企业提供浸没式DUV光刻机。此外，日本尼康也拥有浸没式DUV光刻机产品，也可以向中国企业供货。因此长江存储是有机会打破美国政府的禁令的。
但是，这一项关键设备仍然掌握在西方国家手中，仍然存在隐患。最稳妥的办法，还是期待我们国产的浸没式DUV光刻机面世，以及将先进半导体生产所需的十几种设备和几十种原料全面国产化。这一天并不遥远。
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